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SGN纳米导电银浆超高速分散机

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具体成交价以合同协议为准

产品型号GRS2000/4

品       牌

厂商性质生产商

所  在  地上海市

更新时间:2017-10-10 09:54:13浏览次数:315次

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产品简介

SGN纳米导电银浆超高速分散机就是高效、快速、均匀地将一个相或多个相(液体、固体、气体)进入到另一互不相溶的连续相(通常液体)的过程。而在通常情 况下各个相是互不相溶的。当外部能量输入时,两种物料重组成为均一相。由于转子高速旋转所产生的高切线速度和高频机械效应带来的强劲动能。

详细介绍

SGN纳米导电银浆超高速分散机,德国超高速银浆分散机,德国高剪切纳米分散机,管线式超高速分散机,三级高剪切分散机,纳米三级分散机,SGN思峻分散机

银浆的简述:

银浆系由高纯度的(99.9% )金属银的微粒、粘合剂、溶剂、助剂所组成的一种机械混和物的粘稠状的浆料。导电银浆对其组成物质要求是十分严格的。其品质的高低、含量的多少,以及形状、大小对银浆性能都有着密切关系。银粉的分散效果直接关系到银浆的质量。所以采用好的分散设备对银粉的分散是至关重要的,当然分散剂的应用也是*的。

德国高剪切纳米分散机,管线式超高速分散机,三级高剪切分散机,纳米三级分散机,SGN思峻分散机SGN纳米导电银浆超高速分散机就是高效、快速、均匀地将一个相或多个相(液体、固体、气体)进入到另一互不相溶的连续相(通常液体)的过程。而在通常情 况下各个相是互不相溶的。当外部能量输入时,两种物料重组成为均一相。由于转子高速旋转所产生的高切线速度和高频机械效应带来的强劲动能,使物料在定、转子狭窄的间隙中受到强烈的机械及液力剪切、离心挤压、液层摩擦、撞击撕裂和湍流等综合作用,形成悬浮液(固/液)泡沫(气体/液体)。从而使不相溶的固相、液相、气相在相应成熟工艺和适量添加剂的共同作用下,瞬间均匀精细的分散乳化,经过高频的循环往复,zui终得到稳定的高品质产品。

    超高速分散均质乳化机的高的转速和剪切率对于获得超细微悬浮液是zui重要的。根据一些行业特殊要求,思峻公司在GRS2000系列的基础上又开发出GRX2000超高速剪切乳化机机。其剪切速率可以超过200.00 rpm,转子的速度可以达到66m/s。在该速度范围内,由剪切力所造成的湍流结合专门研制的电机可以使粒径范围小到纳米级。剪切力更强,乳液的粒经分布更窄。由于能量密度*,无需其他辅助分散设备,可以达到普通的高压均质机的400BAR压力下的颗粒大小.

 影响分散乳化结果的因素有以下几点

1 乳化头的形式(批次式和连续式)(连续式比批次好)

2 乳化头的剪切速率  (越大,效果越好)

3 乳化头的齿形结构(分为初齿,中齿,细齿,超细齿,约细齿效果越好)

4  物料在分散墙体的停留时间,乳化分散时间(可以看作同等的电机,流量越小,效果越好)

5 循环次数(越多,效果越好,到设备的期限,就不能再好)

线速度的计算

剪切速率的定义是两表面之间液体层的相对速率。 

– 剪切速率 (s-1) =       v  速率 (m/s)   
              g 定-转子 间距 (m)

由上可知,剪切速率取决于以下因素: 

– 转子的线速率

– 在这种请况下两表面间的距离为转子-定子 间距。 
SGN 定-转子的间距范围为 0.2 ~ 0.4 mm  

速率V=  3.14 X  D(转子直径)X 转速 RPM  /   60

高剪切分散机 分散混合设备 超声波分散机 可应用于多种粉体的分散,比如铝粉,银粉,金粉,锌粉,炭黑,白炭黑,硬脂酸盐,金属氧化物,光伏材料,半导体材料,防腐材料,防火材料等

 

标准流量(H2O) 

输出转速 

标准线速度 

马达功率 

进出口尺寸 

型号 

l/h 

rpm 

m/s 

kW 

 

GRS 2000/4 

300-1,000

14000

44

2.2

DN25/DN15

GRS 2000/5 

1,000-1.5000

10,500 

44

7.5 

DN40 /DN 32 

GRS 2000/10 

3,000 

7,300 

44

15 

DN50 / DN50 

GRS 2000/20 

8,000 

4,900 

44

37 

DN80 /DN 65 

GRS 2000/30 

20,000 

2,850 

44

75 

DN150 /DN 125 

GRS 2000/50 

40,000 

2,000 

44

160 

DN200 /DN 150 

zui高转速可以达到14000RPM。此款分散机比普通的分散机的速度达到4-5倍以上,分散乳化均质研磨效果非常好。

信息来源于www.sgnprocess。。com


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