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昆山友硕新材料有限公司
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超薄晶圆平坦化加工夹持的方法与流程。目前国外对于LT薄片加工的方法为双面抛光后进行单面粗化来达到制程应用的需求，但此种工艺需对晶片进行双面抛光加工，加工时间与成本上升许多，且难以保证单面粗化的过程对于晶片另一表面不会造成损伤。
超薄晶圆平坦化加工夹持的方法与流程。目前国外对于LT薄片加工的方法为双面抛光后进行单面粗化来达到制程应用的需求，但此种工艺需对晶片进行双面抛光加工，加工时间与成本上升许多，且难以保证单面粗化的过程对于晶片另一表面不会造成损伤。
国内另有一种现有工法为单面抛光制程，该制程利用上蜡或者吸附垫方式将晶片固定住，然而此作法做出来的晶片平坦度水准较双抛工艺差，常常造成后段黄光微影制程的困扰，致使晶片表现不佳亦或是短路。
双抛工艺受限夹治具的刚性强度要求，晶片越往薄化发展代表对应的夹具需要更薄，此时夹具刚性已无法提供稳定的加工保证，其时成品率将大幅降低或者加工成本会大幅上升。
使用上蜡将晶片固定的作法也容易因为上下蜡制程普遍需要升温或降温促使身为压电材料的LT发生破碎，尤其是晶片厚度较薄时。
使用吸附垫方式将晶片固定的作法也无法将晶片做薄，主要原因为LT晶片材质易碎薄化过程中背面使用软的吸附垫晶片容易造成形变发生碎片。
上述的几项传统加工工艺无法达到LT晶片厚度<200um，且平坦度在5mm2<0.5um，PLTV>95%稳定产品品质要求，为此，我们提出一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法。
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