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碳化硅高温氧化炉能够满足SiC圆片的高温氧化工艺;同时亦可用于常规的硅圆片的氧化
碳化硅高温氧化炉能够满足 SiC 圆片的高温氧化工艺; 同时亦可用于常规的硅圆片的氧化。
简介
Centrotherm Oxidator 150 经过团体的, 能够满足 SiC 圆片的高温氧化工艺; 同时亦可用于常规的硅圆片的氧化。
Oxidator 150
Oxidator 150 [1]
炉管和加热器均处于真空密闭反应腔内; 上下料腔室可用Ar或 N2 进行吹扫。这样的设计可以有毒气体 [如 NO, N2O, H2, NO2 等] 使用。
MOSFET(金属氧化物半导体场效应管）氧化工艺使用 N2O 气氛, 可以 SiO2/SiC 接触表面以获得高的通道迁移率, 同时可提高SiC表面氧化物的稳定性和寿命。
高达 1350 ℃ 的温度和其他支持功能为研制SiC 氧化工艺和低界面陷阱密度, 高通道移动率的氧化层提供可能。
新式 centrotherm Oxidator 150 的反应腔，具有高性能, 占地少和降低成本生产的特点; 提供工艺灵活度, 同时能够有毒气体的使用。
性能
真空密封反应腔
占地面积小 [1.8m2]
批处理圆片尺寸2″, 3″, 4″, 6″
批处理数量 40 片硅片2″, 50片硅片6″
真空度小于10-3 mbar
可以并排安装
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