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上海海悦电子科技有限公司
可进行样品局部辐射干扰实验。以尖头端部分为中心可以向周围发出射频(RF)干扰,因此可以局部对基板及IC芯片进行抗干扰实验。使用频率为3GHz,可以达到约30W干扰功率。
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