System 100 -等离子刻蚀与沉积设备
该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真空进样室进样可进行快速的晶片更换、采用多种工艺气体并扩大了允许的温度范围。
具有的工艺灵活性，适用于化合物半导体，光电子学，光子学，微机电系统和微流体技术， PlasmalabSystem100可以有很多的配置，详情如下。
主要特点
可处理8 "晶片，也具有小批量（6 × 2"）预制和试生产的能力
选择单晶片/批处理或盒式进样，采用真空进样室。 该PlasmalabSystem100可以集成到一个集群系统中，采用机械手传送晶片，生产工艺中采用全片盒到片盒晶片传送. 采用一系列的电极进行衬底温度控制，其温度范围为-150 ° C至700° C
用于终端检测的激光干涉和/或光发射谱可安装在Plasmalab System100以加强刻蚀控制
选的6 或12路气箱为工艺流程和工艺气体提供了选择上的灵活性，并可以放置在远端，远离主要工艺设备
工艺
一些使用Plasmalab System100等离子刻蚀与沉积设备的例子：
低温硅刻蚀，深硅刻蚀和SOI工艺，应用于MEMS ，微流体技术和光子技术
用于激光器端面的III - V族刻蚀工艺，通过刻蚀孔、光子晶体和许多其他应用，材料范围广泛（InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等）
GaN、AlGaN等的预生产和研发工艺，比如HBLED和其它功率器件的刻蚀
高品质，高速率SiO2沉积，应用于光子器件
金属（Nb, W）刻蚀
的单晶片刻蚀技术-PlasmaPro100 Sapphire。牛津仪器致力于固态照明的技术革新，凭着在HBLED相关材料方面经验丰富，设备使用成本控制和符合产量要求的同时，我们的新技术还可以地提高客户的产品良率。
针对HBLED苟刻的化学环境要求，PlasmaPro100 Sapphire具有特殊的设计，可以在直径为200mm的晶片上进行快速和均匀的刻蚀。牛津仪器一直努力地为客户提供创新的、有效控制成本和可靠的工艺方案。这个设计的设备满足了所有的要求。
主要特点和优势包括：具有的静电吸盘技术，能固定蓝宝石，和生长蓝宝石或硅上的氮化镓；高功率的ICP能生产出高密度的等离子体；磁隔离区可提高离子控制和均匀性；高电导泵水系统可以在低压下地运送气体。
