| 探头型号 | 描述 |
CS30A
闪烁体探头
| 探测器：φ30×30mm ，灵敏度高
量 程：0.01µSv/h-1000µSv/h
灵敏度：1µSv/h≥350cps（对Cs-137）
能量响应：50keV-3MeV
相对基本误差：≤±15% |
CS75
环境级塑料闪烁体探头
| 探测器：φ75×75mm 塑料闪烁体
量 程：探头剂量率：0.001µSv/h-200μSv/h
灵敏度：1µSv/h ≥1500cps（对Cs-137）
能量响应：50keV-3MeV
分辨率：0.001µSv/h |
GM30A
大型GM管探头 | 探测器：大型GM管，有效直径45mm，云母窗密度1.5-2mg/ cm2
量程：0. 01µSv/h-1000µSv/h 探测α、β、γ和Χ射线
能量响应：50keV-3MeV
灵敏度：1µSv/h ≥7cps（对Cs-137）
相对基本误差：≤±15% |
GM30B
双GM管探头 | 探测器：双GM管
量程：0.1µSv/h -10Sv/h
能量响应：50keV-3MeV
灵敏度：低量程：1µSv/h≥2cps（对Cs-137）
高量程：1µSv/h≥0.003cps（对Cs-137）
相对基本误差：≤±15% |
ION-H
超高量程碳化硅探头 | 探测器：碳化硅
量程：10Sv/h，50Sv/h，100Sv/h，200Sv/h（可选）
能量响应：30keV-2MeV
精度：≤±30% |
NS10A
硅半导体中子探头 | 探测器：半导体中子探测器
量程：1μSv/h -100mSv/h
能量范围：热中子-100keV
响应时间：≤5S
相对基本误差：≤±15% |
NS10B
硅半导体X射线探头 | 探测器：半导体X射线探测器
量程：0.01µSv/h-1000µSv/h
管电压范围：2kv-1250kv
相对基本误差：≤±15% |
CS30D
表面污染探测器 | 探测器：ZnS+塑料闪烁体探测器
有效面积：30cm²
计数范围：1-105
探测效率：α≥30%（对239Pu）；β≥25%
探测本底：每分钟计数α≤3；β≤120
相对基本误差：≤±15%
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