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1.设备用途本设备主要供大专院校、科研单位等针对金属化合物、陶瓷、无机化合物、纳米材料等在真空或保护气氛的条件下进行加压加热烧结处理,以便获得高致密度的产品,例如生产高精度氮化硅陶瓷轴承等
1. 设备用途
本设备主要供大专院校、科研单位等针对金属化合物、陶瓷、无机化合物、纳米材料等在真空或保护气氛的条件下进行加压加热烧结处理,以便获得高致密度的产品,例如生产高精度氮化硅陶瓷轴承等。
2. 方案图
(图片仅供参考)
3. 主要技术参数
3.1 电源:三相380V 50Hz
3.2设计温度:2200℃
3.3额定温度:室温-2100℃
3.4控温区数:一区
3.5控温方式:1200℃低温时候热电偶测温,1200℃以上高温红外测温
3.8控温精度:≤±1℃。
3.9冷态极限真空度:≤6.7*10-3Pa(空炉、冷态、烘烤除气后)
3.10充气气氛:惰性气体
3.10充气压力(微正压):≤0.03MPa
3.11***压力:10T(数显、自动调压、自动保压、伺服电动控制)
3.12工作区域压头尺寸直径:Ф150 mm
3.13 样品尺寸:Ф50-80mm
3.13压力波动:≤±0.01KN,位移精度≤0.01mm
3.14压力行程:0~100mm(数显)
3.15压力控制:伺服电动缸
3.16 控制方式:触摸屏+plc模
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