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常州市天宁天达电子设备有限公司
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TE2891DV/DT试验测试系统简介 一．系统简述 TE2891DV/DT试验测试系统一套集电容容量损耗测试、DV/DT值测试以及充放电试验于一体的多功能电容测试设备
TE2891 DV/DT试验测试系统简介
一．系统简述
TE2891 DV/DT试验测试系统一套集电容容量损耗测试、DV/DT值测试以及充放电试验于一体的多功能电容测试设备，采用高电压、大电流电源，运用的数据采集手段，不仅可以测量电容的DV/DT参数值，还能根据所得DV/DT值，设定冲放电试验电压、电流、试验频率、试验次数等，进行符合电容国家标准的电容脉冲试验。在试验过程中实时检测被测电容表面温升，自动定期检测被测电容容量及损耗并记录相关数据，试验过程中检测被测电容容量及损耗超差或DV/DT试验不合格将随时中断试验并记录试验数据并给出测试报告。
二．系统功能描述
1、电容容量测试
测试电容容量、损耗等参数
2、电容DV/DT值测试
采用高电压、大电流频率较低方波电源，由于测量电容在单位时间内上升的电压值难以实现（要求电源功率较大，开关功率及速度难以实现），我们采用测量电容放电时的DV/DT值。通过示波器检测电容器上的波形，由电脑系统分析并计算得该值，并打印出相应充放电波形。
3、电容高频冲放电试验
根据相关标准，设定冲放电试验的试验电压、电流、冲放电间隔时间（也即冲放电频率）、冲放电次数后，系统会自动进行冲放电试验。本试验用于检测该试件金属化薄膜电容器元件在工艺流程中可能产生的缺陷，是金属化薄膜电容器元件作冲击试验用的主要设备。
4，被测电容表面温升实时检测, 在试验过程按一定的时间间隔实时采样电容器表面温度
三．系统在试验过程中或结束时可实时记录相关数据并给出检测报告（电容表面温升，电容容量及损耗，DV/DT值）
四，技术指标:
试验电压： DC 0～1000V
DV/DT测试频率：10HZ(100nF～5μf)
100HZ(1nF～100nF)
充放电试验频率: 0.5KHZ、1KHZ、5KHZ三档
充电电阻： 5Ω、30Ω、100Ω、300Ω、500Ω
放电电阻： 1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、20Ω
不合格判别： 在测试脉冲周期内低于试验电压80%,经放电后被自动剔除。
实时检测温度： 0～100度
工作电源： AC220V±10％、50Hz±10％、消耗功率约 1000W
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