1、主要特点：
数字化系统协同设计、MEMS工艺制造
微一体化、同步测量压力和温度
一体化封装结构坚固可靠、性能稳定
多种压力与温度类型组合、量程范围宽
适于压力传感器智能化
2、主要性能技术指标
序号
项目
规格指标
备注
1
组合敏感类型
表压-温度
绝压-温度
差压-静压-温度
表压-绝压-温度
2
压力敏感芯片类型
PN结,SOI
3
温度元件类型
扩散硅、薄膜铂电阻
1*
4
基准压力量程
表压、
绝压
差压
静压
20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa、10MPa、30MPa
100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa 6MPa、10MPa、30MPa、60MPa
0～1kPa、6kPa、10kPa、30kPa 、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa
1MPa、6MPa
10MPa
30MPa
1*
压力过载能力
表压、绝压单向≥3（≤10MPa）、≥1. 5倍基准量程（＞10MPa）、≥1. 25倍基准量程（≥60MPa）
差压双向≥4倍基准量程
2*
被测介质
与金属、单晶硅兼容的非腐蚀性、绝缘气体和液体
压力桥路电阻
3～5kΩ、
4
零点输出
≤ ±1mV
3*
5
压力满量程输出
≥20mV（20kPa、35kPa）；≥30 mV（20kPa、30kPa）；≥50 mV（其它基准量程）
3*
6
压力准确度
≤ ±0.25%FS（典型值）
3*、4*
7
差压灵敏度对称性
≤ ±0.3%FS（典型值）
8
工作温度
-55～+125℃（PN结）,-55～+180℃（SOI）
5*、1*
9
零点热漂移
PN结：≤±1.5%FS/55℃（≤10kPa）；≤±1%F.S /55℃（其它基准量程）
3*、6*
SOI：≤± 1%FS/55℃（≤10kPa）≤± 0.8%F.S /55℃（其它基准量程）
10
满量程热漂移
PN结芯片：≤1.5%FS/55℃（≤10kPa）；≤±1%F.S /55℃（其它基准量程）
3*、6*
SOI芯片：≤±1%FS/55℃（≤10kPa）≤± 0.8%F.S /55℃（其它基准量程）
11
绝缘电阻
>100MW
8*
12
短期稳定性
±0.05%FS/8h
3*
13
长期稳定性
≤±0.1%FS/年（PN结）；≤±0.08%FS/年（SOI）
3*
14
激励电源
恒流0.5～1.5mA,或恒压5V～10V
15
热敏电阻阻值
扩散硅40～60kΩ；铂薄膜Pt100、Pt200、Pt500、Pt500
16
热电阻温度系数
扩散硅≥30Ω/℃；铂薄膜3850ppm/℃
电气连接模式
接插件、多芯线缆
17
测量接口形式
螺纹、法兰
注：1*.可用户定制；
2*.表压和绝压量程上限之差≤最小量程上限3倍；
3*. 5VDC恒压激励，恒温25℃；
4*.非线性数据计算为最小二乘法；
5*.-55℃为器件温度，125℃为PN结器件温度；
6*.55℃温区为-30～25℃或25～80；
注：可提供定制服务，如有需求请与营销人员联系。
