日本AET介电常数测试仪
日本 AET 介电常数测试仪是一款用于测量材料介电常数和介电损耗的专业仪器，以下是其详细介绍：
产品型号及技术参数
TE 空洞共振腔型号：可测试频率范围为 10G-40GHz，适用于测量厚度小于 0.3mm 的薄膜。其介电常数准确度为 ±1%，介电损耗准确度为 ±5%，样品形状为方形片状，不同频率下对样品尺寸要求不同，如 10GHz 时需大于 50mm×50mm，20GHz 时需大于 40mm×40mm，28/40GHz 时需大于 30mm×30mm1.
同轴共振腔型号：可测试频率范围为 800M～9.4GHz，介电常数范围 1-15，准确度 ±1%，介电损耗范围 0.1-0.001，准确度 ±5%。该型号共有两种同轴共振腔，Type A 可测频点为 0.8/2.45/4.2/5.8/7.6GHz，Type B 可测频点为 1/3/5/7/9GHz23.
工作原理
日本 AET 介电常数测试仪利用微波技术结合高 Q 腔以及 3D 电磁场模拟技术，采用德国 CST 公司的 3D 电磁类比软件 MW-StudioTM，测量材料的高频介电常数，从而保证了介电常数测量结果的精确性23.
主要特点
测量稳定性高：TE 空洞共振腔有固定的间隙插入待测样品，相比将样品夹在谐振器中的方法，测量稳定性更优，且适用于各种材料，包括软性和脆性样品1.
非破坏性测量：同轴共振腔适用于不同形状样品的非破坏性测量，操作简易，内置的反馈振荡器电路可实现精确量测123.
高损耗分辨率：TE 空洞共振腔模式具有较高的损耗分辨率，尤其适合低损耗薄膜的测量1.
应用领域
主要应用于 5G 材料、高速数字 / 微波电路基底材料、滤波器、介电天线、化学制品、薄膜与新材料、半导体材料、电子材料（包括 CCL 和 PCB）、陶瓷材料、纳米材料、光电材料等领域123.
符合标准
TE 空洞共振腔符合标准 JIS R1641、IPC-TM650 2.5.5.13；其他测量方法也符合如 JIS C2565、ASTM D2520、IEC 60556 等相关标准1.
日本AET介电常数测试仪
