LET-5000半导体测试系统是一款测量与分析功率半导体器件静态参数的专用仪器，为所有类型的功率半导体器件提供静态参数测量解决方案。
LET-5000半导体测试系统能在2200V（可扩展为8000V）和1000A （可扩展为6000A）的条件下实现精确测量、分析功率半导体器件的静态参数。
LET-5000具有快脉冲能力，并具有优异的宽电压和电流测量能力。
这些功能能够对的器件（例如 IGBT）和新型材料（例如 GaN 和 SiC）进行测量，可以测试器件包括：MOSFET、IGBT、二极管、三极管、JET、HEMT、光耦等。
LET-5000由多个独立的高精度源组成，每个功率源模块上配备两个独立的模数(AD)转换器支持2µs采样率，每个模块上的驱动能够独立精确控制，对有可能影响器件特性的关键计时进行精确监测。具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、nA 级漏电流测量能力等特点，支持高压模式下功率器件结电容测试，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
被测对象及主要测试参数
被测对象 | 主要测试参数 |
分立器件 | Id-Vg，Id-Vd，Ic-Vc,二极管 |
双极 | Ic-Vc、二极管、Gummel 图、击穿、hfe、电容 |
Coms | Id-Vg、Id-Vd、Vth、击穿、电容、QSCV等 |
内存 | Vth、电容、耐久测试等。 |
MOSFET | Id-Vds,Rds-Id,Id-Vgs,电容 |
IGBT | Ic-Vce，Ic-Vge,Vce(sat),Vth Vge(off),击穿 |
太阳能电池 | I-V、Cp-V、奈奎斯特图、DLCP 等。 |
纳米器件 | 电阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc等。 |
GaN | FET 电流衰减、Id-Vds 电流衰减、二极管电流 |
LET-5000系统参数：
集电极-发射极
测量电压：
标配：2200V
选件1：3500V
选件2：8000V
测量电流：
标配：1000A
选件1：2000A
选件2：3000A
选件3：4000A
选件4：5000A
选件5：6000A
精度：0.10%
漏电流测试范围：1nA~100mA
栅极-发射极
电压：300V
电流：10A
精度：0.05%
电压分辨率：30μV
电流分辨率：10pA
电容测试精度：0.50%
频率范围：10Hz-1MHz
电容值范围：0.01pF-9.9999F
订货规格：
LET-5210 电压范围：0-2200V，电流范围：0-1000A
LET-5220 电压范围：0-2200V，电流范围：0-2000A
LET-5230 电压范围：0-2200V，电流范围：0-3000A
LET-5240 电压范围：0-2200V，电流范围：0-4000A
LET-5250 电压范围：0-2200V，电流范围：0-5000A
LET-5260 电压范围：0-2200V，电流范围：0-6000A
LET-5310 电压范围：0-3500V，电流范围：0-1000A
LET-5320 电压范围：0-3500V，电流范围：0-2000A
LET-5330 电压范围：0-3500V，电流范围：0-3000A
LET-5340 电压范围：0-3500V，电流范围：0-4000A
LET-5350 电压范围：0-3500V，电流范围：0-5000A
LET-5360 电压范围：0-3500V，电流范围：0-6000A
LET-5810 电压范围：0-8000V，电流范围：0-1000A
LET-5820 电压范围：0-8000V，电流范围：0-2000A
LET-5830 电压范围：0-8000V，电流范围：0-3000A
LET-5840 电压范围：0-8000V，电流范围：0-4000A
LET-5850 电压范围：0-8000V，电流范围：0-5000A
LET-5860 电压范围：0-8000V，电流范围：0-6000A
