低温传感器光刻(-60℃~25℃):针对 MEMS 压力传感器的硅基蚀刻工艺,通过半导体制冷片与真空腔技术,实现 - 40℃±0.1℃稳定控温,抑制硅片热膨胀导致的微结构变形(尺寸偏差从 ±2μm 降至 ±0.5μm)
常温嵌入式制程(25℃~120℃):支持 MCU 芯片的聚酰亚胺绝缘层光刻,100℃恒温精度达 ±0.08℃,确保多层布线的层间对准误差<±1μm
高温边缘计算工艺(120℃~250℃):满足工业级边缘服务器芯片的耐高温封装光刻,200℃时温度均匀性达 ±0.15℃,避免高密度焊点因局部过热导致的虚接风险
快速温变:-60℃至 250℃全程升降温速率达 5℃/min,空载时从室温升至 200℃仅需 32 分钟
精准控温:搭载德国进口 Pt1000 传感器(分辨率 0.01℃)与模糊 PID 算法,稳态精度 ±0.1℃,波动度<0.05℃/10min
负载自适应:通过压力传感器实时监测晶圆数量,自动调整加热 / 制冷功率,多工位处理时温度一致性误差<1℃
多工位处理腔体:内置 3 组独立温控工位(兼容 4/6/8 英寸晶圆),支持不同工艺参数并行处理(如工位 1 运行 - 40℃传感器光刻,工位 2 同步进行 150℃嵌入式芯片后烘)
紧凑型制冷机组:采用涡旋式变频压缩机(噪音≤60dB),体积较传统活塞式缩小 30%,支持顶部 / 背部双重散热
智能化操作终端:12.1 英寸触控屏集成工艺参数库(预设 50 + 物联网芯片制程方案),新手操作人员培训时间缩短 50%
快速换型:工位承载台支持磁吸式快速更换,10 分钟内完成 4 英寸 MEMS 晶圆与 8 英寸嵌入式芯片的制程切换
洁净度保障:正压式 HEPA 过滤系统(过滤效率≥99.99%@0.3μm),配合特氟龙涂层内壁(表面粗糙度 Ra≤0.4μm),维持腔体 ISO 5 级洁净度
安全防护:全封闭门体配备红外光栅保护,异常升温时(超过设定值 5℃)自动切断加热电源,响应时间<0.2 秒
参数实时记录:以 10Hz 频率采集温度、压力、气体流量等 20 + 参数,生成单晶圆独立工艺档案(存储周期≥5 年)
异常智能预警:通过预设的物联网芯片光刻失效模型(如低温下的胶膜龟裂、高温时的金属化迁移),提前 20 分钟预警潜在风险
良率关联分析:支持与 MES 系统数据对接,自动生成温度波动与芯片漏电流、接触电阻等参数的相关性报告,辅助客户优化工艺窗口
无线通信接口:标配 Wi-Fi/4G 双通信模块,支持手机 APP 实时监控设备状态(温度曲线、能耗数据、故障报警)
固件远程升级:通过加密通道推送温控算法更新包,无需停机即可实现新制程适配(如新增 NB-IoT 芯片的低温光刻方案)
大数据分析平台:云端存储工艺数据,利用机器学习持续优化温控策略,帮助客户提升芯片长期可靠性(如降低 30% 的长期存储失效风险)
工艺定制服务:针对 LoRa、Zigbee 等特殊通信协议芯片,提供温度曲线拟合与材料兼容性测试(免费首单工艺调试)
快速交付方案:标准化机型 72 小时内发货,定制化多工位配置 4 周内交付,配套提供洁净室布局设计图纸
行业标准适配:通过 IATF 16949 认证,提供符合 AEC-Q100(汽车电子)、JEDEC J-STD-020(湿度敏感等级)的温度循环报告