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沈阳北博电子科技有限公司
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数字化系统协同设计、MEMS工艺制造SiO2层绝缘隔离扩散硅敏感电阻
1、主要特点
数字化系统协同设计、MEMS工艺制造
SiO2层绝缘隔离扩散硅敏感电阻
消除PN结反向饱和漏电流、时漂特性优化
适应高宽工作温度范围
自补偿恒流激励满量程热漂移
多种惠斯登电桥开/闭合连接形式
应力匹配玻璃衬片隔离
表压、绝压、差压类型齐全
覆盖低、中、高宽压力测量量程
2、主要技术指标
序号
项目
规格指标
备注
1
基准压力量程
表压、差压
绝压
0～1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10MPa
100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100Mpa、150MP
2
量程过载能力
≥3倍基准量程（≤10MPa）； ≥1. 5倍基准量程（＞10MPa）； ≥1. 25倍基准量程（≥60MPa）
1*
3
桥路电阻
3～5kΩ
5
零点输出
≤ ±25mV
2*
6
满量程输出
≥20mV（20kPa、35kPa）； ≥30 mV（20kPa、30kPa）；
≥50 mV（其它基准量程）
2*
7
准确度
≤ ±0.2%FS （其它基准量程）； ≤ ±0.25%FS （≤60kPa、≥60MPa、100MPa）
± 0.5%FS（≤10kPa）
2*、3*
8
灵敏度对称性
≤ ±0.2%FS
3*
9
工作温度范围
-55～+150℃；
10
热零点漂移
≤ 1%FS/55℃（≤10kPa）； ≤ 0.8%F.S /55℃（其它基准量程）
4*、5*
11
热灵敏度漂移
≤2%FS/55℃（≤10kPa）； ≤ 1%F.S /55℃（其它基准量程）
4*、5*
12
短期稳定性
≤±0.03%FS/8h
2*
13
激励电源
恒流0.5～1.5mA,或恒压5V～10V
14
电桥连接形式
闭桥
15
芯片表面尺寸
≤3.5×2.75（mm）
≤2.3×2（mm）
≤1.55×1.55（mm）
6*
注：1*. 150MPa量程过载为本量程上限； 4*. 1mADC恒流激励，恒温25℃；
2*. 5VDC恒压激励，恒温25℃； 5*. 55℃温区为-30～25℃或25～80℃；
3*. 非线性数据计算为最小二乘法； 6*.硅片厚度c=500μm。
注：可提供定制服务，如有需求请与营销人员联系。
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