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沈阳北博电子科技有限公司
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数字化系统协同设计、MEMS工艺制造SiO2层绝缘隔离扩散硅敏感电桥
1、主要特点：
数字化系统协同设计、MEMS工艺制造
SiO2层绝缘隔离扩散硅敏感电桥
特殊功能结构和材料
适应高宽工作温度范围
适应与硅、玻璃兼容的介质环境
表压、绝压、差压类型齐全
覆盖低、中、高宽压力量程范围
2、主要性能指标：
序号
项目
规格指标
备注
1
系列
耐高温冲击
贴片
2
类型
表压、绝压、差压
3 基准压力量程
100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10Mpa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100Mpa、200MP
100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa
1*
4 量程过载能力
≥3倍基准量程（≤10MPa）； ≥1. 5倍基准量程（＞10MPa）； ≥1. 25倍基准量程（≥60MPa）
2*
5
桥路电阻
3～5kΩ
6
零点输出
≤ ±25mV
3*
7
满量程输出
≥20mV（20kPa、35kPa）； ≥30 mV（20kPa、30kPa）； ≥50 mV（其它基准量程）
3*
8
准确度
≤ ±0.2%FS （其它基准量程）； ≤ ±0.25%FS （≤60kPa、≥60MPa、100MPa）
± 0.5%FS（≤10kPa）
3*、4*
9
灵敏度对称性
≤ ±0.3%FS
4*
10
工作温度范围
下限-55℃；上限+540℃；
下限-55℃；上限+230℃；
11
热零点漂移
≤ 1%FS/℃（≤10kPa）； ≤0.8%F.S /55℃（其它基准量程）
5*、6*
12
热灵敏度漂移
≤2%FS/℃（≤10kPa）； ≤ 1%F.S /55℃（其它基准量程）
5*、6*
13
短期稳定性
≤±0.03%FS/8h
3*
14
激励电源
恒流0.5～1.5mA,或恒压5V～10V
15
电桥连接形式
闭桥
16
芯片表面尺寸
≤3.5×2.7（mm）
≤1×1（mm），≤1,5 ×1.5（mm）
7*
注：1*. 可定制中间压力量程； 2*. 100MPa量程过载为本量程上限；
3*. 5VDC恒压激励，恒温25℃； 4*. 非线性数据计算为最小二乘法；
5*. 1mADC恒流激励，恒温25℃(可补偿性)； 6*. 55℃温区为-30～25℃或25～80℃(可补偿性)；
7*. 硅片厚度c=500μm。
注：可提供定制服务，如有需求请与营销人员联系。
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