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BE-T500膜厚测试仪

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更新时间：2024-10-26 17:14:54浏览次数：56次

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沈阳北博电子科技有限公司

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产品简介

红外厚度测量仪采用光学干涉原理、非接触测量折射率较大或者厚度较大的样品，比如硅晶圆、铌酸锂、钽酸锂等，测量分辨率达到纳米量级。该仪器具有测量迅速、操作简单、结果稳定、用户使用界面易于操作等特点，是目前市场上性价比优良的厚度测量仪之一。可用于离线或在线厚度的实时测量。

详细介绍

产品简介

红外厚度测量仪采用光学干涉原理、非接触测量折射率较大或者厚度较大的样品，比如硅晶圆、铌酸锂、钽酸锂等，测量分辨率达到纳米量级。该仪器具有测量迅速、操作简单、结果稳定、用户使用界面易于操作等特点，是目前市场上性价比优良的厚度测量仪之一。可用于离线或在线厚度的实时测量。

产品特点

全光学非接触式测量，无须破坏样品或做前处理
高速、高灵敏度、高精确度、高重复性测量
采用近红外光(NIR)，每个波长的测量功率更高
双光路设计，以增加探测光路强度
包含显微成像系统，方便准确定位测量部位
可以测量玻璃盖板下面硅基的厚度
高动态范围，对表面缺陷和粗糙度不敏感，可测量不规则表面
能够在湿法蚀刻过程中进行原位测量

技术参数
测量类型含显微成像系统不含
波长范围 950-1100nm
分辨率/波长间隔 0.12nm/0.04nm
探测器 Toshiba,3648 Pixels CCD
积分时间 4ms-60s
信噪比优于 300:1（饱和时）
可测量厚度（n=3.5） 5µm-500µm
可测量厚度（n=1.5） 10µm-1400µm
使用光源近红外
分辨率 1nm
准确度小于±0.5%或者 0.5µm（取较大值）
重复性小于±0.1%或者 0.1µm（取较大值）
测量模式反射法
入射角度 90°
测试材料硅晶圆等
工作距离约为 25mm（物镜前端至样品表面）
测量视野小于 500µm
测量时间小于 50ms
数据通信接口 USB2.0
电源 AC220V±10%/50Hz±0.1%
尺寸 250x 90x 280mm（宽 x 高 x 深）
操作系统 Windows7/Windows10

设备支持定制，详细资料请联系营销人员获取。