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CIF---RIE反应离子刻蚀机

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更新时间：2024-11-14 17:59:22浏览次数：91次

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赛福仪器承德有限公司

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产品简介

CIF推出RIE反应离子刻蚀机，采用RIE反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学，科研院所、微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低，性价比高，易维护，处理快速高效。

详细介绍

CIF推出RIE反应离子刻蚀机，采用RIE反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学，科研院所、微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低，性价比高，易维护，处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。具体包括：

介电材料（SiO2、SiNx等）

硅基材料（Si，a-Si，poly Si）

III-V材料（GaAs、InP、GaN等）

溅射金属（Au、Pt、Ti、Ta、W等）

类金刚石（DLC）

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产品特点：

PLC工控机控制整个清洗过程，全自动进行。

7寸彩色触摸屏互动操作界面，图形化操作界面显示，自动监测工艺参数状态，0~99配方程序，可存储、输出、追溯工艺数据，机器运行、停止提示。

手动、自动两种工作模式。

全真空管路系统采用316不锈钢材质，耐腐蚀无污染。

采用防腐数字流量计控制，标配双路气体输送系统，可选多气路气体输送系统，气体分配均匀。可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。

具备HEPA高效过滤气体返填吹扫功能。

符合人体功能学的60度倾角操作界面设计，操作方便，界面友好。

316不锈钢、航空铝真空仓选择。

采用顶置真空仓，上开盖设计，下压式铰链开关方式。上置式360度水平取放样品设计，符合人体功能学，操作更方便。

有效处理面积大，可处理直径200mm晶元硅片。

安全保护，仓门打开，自动关闭电源。

技术参数

型号	RIE200	RIE200plus
舱体内尺寸	H38xΦ260mm	H38xΦ260mm
舱体容积	2L	2L
射频电源	40KHz	13.56MHz
电极	不锈钢气浴RIE电极，Φ200mm	不锈钢气浴RIE电极，Φ200mm
匹配器	自动匹配	自动匹配
刻蚀方式	RIE	RIE
射频功率	10-300W可调（可选10-1000W）	10-300W可调（可选10-600W）
气体控制	质量流量计（MFC）（标配双路，可选多路）流量范围0-500SCCM（可调）
工艺气体	Ar、N₂、O₂、H₂、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合气体等（可选）
处理尺寸	≤Φ200mm
时间设定	1-99分59秒
真空泵	抽速约8m3/h
气体稳定时间	1分钟
极限真空	≤1Pa
电源	AC220V 50-60Hz，所有配线符合《低压配电设计规范 GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。