霍尔效应测量系统L79/HCS

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更新时间：2024-12-15 13:17:32浏览次数：41次

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产品简介

霍尔效应测量系统L79/HCS

详细介绍

L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征，包括:迁移率，电阻率，载流子浓度和霍尔常数。

基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温（液氮）附件结合高温炉（温度可达800°C）可确保涵盖所有应用领域。永磁体和电磁铁可提供高达几特斯拉强度的固定或者可变磁场。

样品支架位于密封的真空测量室，测量室设有进出气体口，可在受控及可变的气氛下进行测量。不同的样品支架可用于从LN2至800℃进行测量。

可选的实际磁场强度可以在高达150℃的温度下测量。测量过程中，在滑轨上的两个磁路可以移动组装，可将磁通量从正变为零甚至为负，因此样品无需移动。

型号	L79 HCS
温度范围	从LN2 至 800°C （不同配置）
输入电流	5nA 至 125 mA
霍尔张力	1 µV 至 2500 µV
数字分辨率	300 pV
样品几何形状	从 5 x 5 mm 至 25 x 25 mm 高度 5 mm
磁场	Basic: 永磁铁，0.7 T；磁极直径90 mm 用于双极测量的两个磁铁设置。 Alt.: 电磁铁1 T (可变场)；磁极直径76mm 电源 75A / 40V. 双极测量用电流反向开关
传感器	提供不同的可交换传感器配置
电阻率范围	10-4 至 107 (Ω/cm)
载体密度	107 至 1021 (1/cm3)
迁移率	1 至 107 (cm2/Volt sec)
重复性/准确性
电阻率	± 3% (大多数材料) ± 6% (大多数材料)
霍尔常数	± 5% (大多数材料) ± 6% (大多数材料)
气氛	真空，惰性，氧化，还原