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JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。 zei的技术实现了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统｡
产品特点：
JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。
zei的技术实现了高速、高精度和高可靠性。
是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统
利用步进重复式曝光的优点，结合曝光剂量调整功能及重叠曝光等功能，能支持下一代掩模版/中间掩模版（mask/reticle）图形制作所需要的多种补偿。
产品规格：
| 拼接精度 | ≦±3.8 nm |
| 套刻精度 | ≦±7 nm |
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