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主要是要将晶圆上的每一颗晶粒(Die)切割分离。首先将晶圆(Wafer)的背面贴上一层胶带(Wafer Mount),之后通过自动上料机构将其送至晶圆切割机内部,用单独的die通过高速旋转的金刚石刀片切割开来,切割完后,一颗颗的晶粒会井然有序的排列黏贴在胶带上,然后再通过搬运手臂搬运至清洗区域离心清洗,过程用离子水(DI纯水)冲去切割产生的硅渣和释放静电,清洗完后的晶圆通过搬运手臂推回料盒中。
主要是要将晶圆上的每一颗晶粒(Die)切割分离。首先将晶圆(Wafer)的背面贴上一层胶带(Wafer Mount),之后通过自动上料机构将其送至晶圆切割机(晶圆划片机)内部,用单独的die通过高速旋转的金刚石刀片切割开来,切割完后,一颗颗的晶粒会井然有序的排列黏贴在胶带上,然后再通过搬运手臂搬运至清洗区域离心清洗,过程用离子水(DI纯水)冲去切割产生的硅渣和释放静电,清洗完后的晶圆通过搬运手臂推回料盒中。
项目 | 参数值 | |
设备名称 | 晶圆切割机 | |
设备型号 | QWD-1202A | |
工作物尺寸 | φ300mm | |
X轴 | 可切割范围 | 310mm |
进刀速度输入范围 | 0.1-1000mm/s | |
Y1·Y2轴 | 可切割范围 | 310mm |
单步步进量 | 0.001mm | |
Y轴定位精度 | 0.003mm以内/310 单一.002以内/5 | |
Z1·Z2轴 | 有效行程 | 14.7mm(使用φ2"切割刀时) |
移动量解析度 | 0.00005mm | |
重复精度 | 0.001mm | |
可使用的切割刀片直径 | φ58mm(使用φ2"切割刀时) | |
θ轴 | 旋转角度 | 270° |
主轴 | 运行速度范围( rpm) | 10000~60000 |
功率(KW) | 1.8/2.4 at 60000 rpm | |
扭矩(N-m) | 0.3/0.4 (15000~60000 rpm) | |
可使用的框架尺寸 | 8-12寸 | |
其他规格 | 电源 | 三相AC380 |
设备尺寸 | 1850*1520*1850mm(长x宽x高) | |
设备重量 | 约2500KG |
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