1、主要特点
数字化系统协同设计、MEMS工艺制造
压力与温度扩散硅元件单片集成
优良表面态和时漂特性
多开/闭合惠斯登电桥连接形式
智能传感器的核心芯片
适于表压、绝压、差压与温度组合测量
覆盖低、中、高宽压力量程范围
2、主要性能技术指标
序号
项目
规格指标
备注
1
组合敏感类型
表压-温度
绝压-温度
差压-静压-温度
表压-绝压-温度
2
硅晶圆类型
全硅单晶
SOI硅单晶
3
基准压力量程
表压、
绝压
差压
0～1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10MPa
100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100MPa
0～1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、
过载能力
≥3倍基准量程（≤10MPa）；≥1. 5倍基准量程（＞10MPa）；
≥1. 25倍基准量程（≥60MPa）
双向≥4倍基准量程
1*
桥路电阻
3～5kΩ
4
零点输出
≤ ±20mV
2*
5
满量程输出
≥20mV（20kPa、35kPa）；≥30 mV（20kPa、30kPa）；≥50 mV（其它基准量程）
2*
6
准确度
≤ ±0.15%FS （其它基准量程）；≤ ±0.25%FS （≤60kPa、≥60MPa、100MPa）；
± 0.5%FS（≤10kPa）
3*
7
工作温度
-55～+125℃；-55～+150℃
8
零点热漂移
≤ 6%FS/℃（≤10kPa）
≤ 4%F.S /55℃（其它基准量程）
4*、5*
9
满量程热漂移
≤10%FS/℃（≤10kPa）
≤ 8%F.S /55℃（其它基准量程）
4*、5*
10
PN结硬击穿电压
≥25V(I=10μA档)
11
短期稳定性
±0.05%FS/8h
12
供电电源
恒流0.5～1.5mA,或恒压5V～10V
13
电桥形式
闭桥
14
热敏电阻阻值
40～60kΩ
6*
15
热敏电阻温度系数
≥50Ω/℃
6*
芯片表面尺度
≤3.5×2.75（mm）
≤2.3×2（mm）
≤1.55×1.55（mm）
7*
注：1*. 100MPa量程过载为本量程上限；
2*. 5VDC恒压激励，恒温25℃；
3*.非线性数据计算为最小二乘法；
4*. 1mA恒流激励，恒温25℃；
5*. 55℃温区为-30～25℃或25～80℃；
6*.可定制；
7*.硅片厚度c=500μm。
注：可提供定制服务，如有需求请与营销人员联系。
