下降式晶体生长炉
技术规格书
一·设备用途：
主要用于LED半导体、太阳能等工业晶体的提纯、制备。
二·设备特点：
本设备采用一体化设计，立式钟罩式结构，炉膛材料采用优质的氧化铝多晶纤维真空吸附制成，节能50%，炉体采用双层炉壳结构，双层炉壳之间装有风机，可以快速升降温，炉壳表面温度低，**整洁大方。
三·主要技术参数
1.**使用温度：1600℃
2.控温区：两区（一区高温区，一区辅助加热区）
3.功率： 15Kw±10%单相
4.发热材料：硅钼棒（高温区）电阻丝（辅助加热区）
5.恒温区间：200mm（高温区）
6.炉膛内径：120mm
7.测温系统： 热电偶
8.控温精度： ±1℃
9.坩埚升降：位移行程 300mm
慢速升降0.1-10mm/h（伺服控制）精度±0.01mm
快速升降50-200mm/min（伺服控制）
坩埚旋转：坩埚转速 1~50RPM
四、结构组成
1、炉体及炉体升降机构
2、坩埚升降旋转系统
3、变压器及联接电缆
4、 温控系统
五、结构说明
1、炉体及炉体升降系统：炉体壳体采用优质冷轧钢板双层结构设计技术，壳体颜色漆经过高温烘烤而成，经久耐用，炉膛采用高纯氧化铝多晶体纤维材料，分两区***控温，高温区采用优质硅钼棒为加热元件，辅助温区采用优质电阻丝为加热元件，两个温区之间形成温度梯度，从而保证晶体的正常生长，双层炉壳间配有风冷系统，能快速对温控系统降温；该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。炉体整体做成一个圆筒的罩式结构，与固定在支架平台上的炉底组成一个完整的炉膛，炉体配有一升降系统，可是炉体**升降，方便装卸料。
2、坩埚升降旋转系统：坩埚升降采用伺服控制，位移精度可达0.01毫米，控制精度高，它是由一套线性模组和伺服电机，减速机组成，旋转机构由旋转电机减速机组成，升降和旋转安装在同***台上，组成一个完整的机构，安装在炉底中心位置，从而带动坩埚杆的升降与旋转，坩埚杆的上部装有一坩埚平台，采用高温陶瓷材料，经久耐用。
3、温控系统：电炉的温度控制采用可控硅功率控制器＋低电压大电流变压器，可控硅功率控制器采用移相触发方式来实现电压的无级调节，从而达到自动控制功率的目的。采用宇电50段温控仪表，控温精度高，可根据需要设定多段升温曲线，从而达到自动控制温度的目的。功能强大，操作方便，具有超温，上线***声光**功能。控制柜面板上设有液晶触模屏，可显示、设定坩埚升降速度，旋转速度、位移等，直观显示系统各部件的工作状态，并可实时显示记录工况炉内的温度。可显示温度、位移曲线，记录保存数据，数据也可以删除、导出。炉子的所有动作都有一台PLC来完成，控制精确自动化程度高。
4、变压器及联接电缆：采用三相干式变压器，联接电缆采用铜排或软电缆降低损耗，环保节能。
