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武汉华工激光工程有限责任公司
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面向半导体产业链中游晶圆生产企业、下游封装测试企业，采用独立开发的多通道明暗场并行检测系统，对半导体有图形晶圆、晶粒的外观缺陷进行检测。 检测精度 3 μm 镜头 显微镜头 整机尺寸（mm） 2000*1200*2250
本设备可适用于4—8英寸有图形晶圆
检测划伤、背崩、色差、开裂、划偏、金属残留、金属缺失等缺陷
系统分辨率：0.2-0.8μm
有图形晶圆：缺陷数量在200个以内的情况下，15分钟/片
| 项目 | 主要技术参数 | ||
| 常规参数 | Wafer尺寸 | 4" , 6"（带蓝膜铁框 ） | |
| 料盒数量 | 2 pcs | ||
| 上下料方式 | 机械手， Mapping扫描 | ||
| 运动平台 | X行程200mm，重复精度10μm Y行程45mm，重复精度10μm Z行程15mm，重复精度5μm | ||
| 产能 | 4" , 25WPH 6" , 20WPH | ||
| 检测性能 | 检测精度 | 3 μm | |
| 相机 | 高分辨率工业相机 | ||
| 镜头 | 显微镜头 | ||
| 光源 | 光源 | ||
| 缺陷标记 | 自动打点 | ||
| 使用环境 | 供电规格 | AC220V， 50Hz | |
| 气源要求 | 0 .5-0 .7Mpa压缩空气， 无明显水汽和油脂 | ||
| 设备重量 | 温度15-40℃， 湿度要求30%-70%， 无凝霜 | ||
| 整机尺寸 | 2000mm*1200mm*2250mm | ||
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