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武汉华工激光工程有限责任公司
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面向半导体产业链上游的原材料生产企业，采用独立开发的光谱共焦测量系统，对半导体原片、外延片的尺寸和平面度进行检测。 重复精度 ±0 . 1 μm 检测厚度 ± 1 mm 整机尺寸（mm） 1800*1300*2250
用于各种材质各种抛光状态的4—8英寸原片、衬底及外延片
厚度范围:0—1mm 测量精度:士1μm 重复精度:0.2μm
测量时间:30s/pcs(依据客户检测轨迹)
| 项目 | 主要技术参数 | ||
| 常规参数 | Wafer尺寸 | 4" , 6" | |
| 料盒数量 | 双层， 14 pcs | ||
| 上下料方式 | 机械手， Mapping扫描 | ||
| 运动平台 | X行程150mm， Y行程150mm， | 重复精度 ±0 . 1 μm 重复精度 ±0 . 1 μm | |
| 产能 | 4" , 240WPH 6" , 220WPH | ||
| 检测性能 | 检测功能 | 晶圆（贴膜晶圆）厚度、TTV、翘曲度 | |
| 厚度测试精度 | ±0 .5 μm， 重复性： 0 . 1 μm（连续测试25片， 每片测试5点 ） | ||
| 厚度范围 | ± 1 mm | ||
| TTV测试精度 | ±0 .5 um， 重复性： 0 .2 μm | ||
| 翘曲度测试精度 | ± 2 μm， 测试范围： ± 600μm， 重复性： 1 μm | ||
| 使用环境 | 供电规格 | AC220V,50Hz | |
| 气源要求 | 0.5-0.7Mpa压缩空气，无明显水汽和油脂 | ||
| 设备重量 | 温度15-40℃。湿度要求30%-70%，无凝霜 | ||
| 整机尺寸 | 1800mm*1300mm*2250mm | ||
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