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武汉华工激光工程有限责任公司
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本设备针对8英寸及以上芯片封测厂，应用于半导体行业硅基晶圆激光改质切割。 重复定位精度 ±1μm 加工头 自制准直头 晶圆尺寸 8 inch（可兼容12inch）
表面无损伤，无切缝，崩边极小（≤2μm），边沿蜿蜒小（<3μm）
可采用多焦点改质模式，成倍提高切割效率
激光器平均功率稳定性高（≤±3% over 24 hours），光束质量高（M² <1.5)
| 内容 | 主要技术参数 | |
| 激光器参数 | 中心波长 | 定制红外波长 |
| 加工头 | 自制准直头 | |
| 加工性能 | 有效工作行程 | 300×400mm（选配） |
| 重复定位精度 | ± 1 μm | |
| 视觉定位 | 自动视觉定位 | |
| 加工方式 | 逐层改质、单点/多点加工方式 | |
| 其他 | 晶圆尺寸 | 8 inch（可兼容12inch） |
| 工艺流程 | 激光改质切割— 扩膜 | |
| 加工对象 | MEMS芯片 、硅基生物芯片 、硅麦芯片、CMOS芯片等 | |
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