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成都莱普科技股份有限公司
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晶圆获得极浅的原始杂质离子注入后，采用激光瞬间退火来激活杂质，并精确控制注入离子的峰值深度，保证注入杂质不发生明显的扩散再分布，获得合格的超浅结源漏区。
＜ 50nm 结深控制
低至 10nm 以内的峰值浓度深度控制
优异的杂质形貌分布和均匀性
WPH 高达 25
完整的全程监控反馈功能
背照式图像传感器晶圆
| 项目 | LA2515 |
| 晶圆尺寸 | 4/6、6/8 inch 兼容 |
| 激光功率 | 15W/13W |
| 典型扫描时间 | 90 sec/p@ 6 inch |
| 激光能量密度 | 0.3-3J/cm² |
| 激活率 | ≥ 95% @B Implant |
| 均匀性 | 片内：≤ 1%，片间：≤ 1%，@6 inch，RS |
| 自动传片系统 | 双 LoadPort、多关节机器手、预准直器 |
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