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武汉华工激光工程有限责任公司
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采用紫外皮秒激光器，针对硅和化合物半导体晶圆进行精密半切或全切。 切割线宽 ≤20±5μm（含HAZ） 崩边 ≤10μm 整机尺寸 (mm) 1500*1700*2000
切割线宽窄（以紫外准直为例，切割线宽 +HAZ≤20±5μm），崩边小（≤10μm）
UPH≥10 （紫外振镜：以3英寸双台面硅二极管晶圆为例，含自动对位时间）
激光器脉冲稳定性高（≤2% rms），光束质量高（ M²≤1.2)
| 内容 | 主要技术参数 | ||
| 设备型号 | LUD3200 | LUD3210 | |
| 激光器参数 | 中心波长 | ~355nm | ~355nm |
| 加工头 | 激光扫描头 | 激光准直头 | |
| 加工性能 | 有效工作行程 | 200x300mm(选配)、 DD马达 | 200x300mm(选配)、 DD马达 |
| 重复定位精度 | ±2μm 、 ± 5arc sec | ±2μm 、 ± 5arc sec | |
| 视觉定位 | 正面定位 、正面切割 | 正面定位 、正面切割 | |
| 划线线宽 | ≤30± 5 μm | ≤20± 5 μm | |
| 其他 | 供电规格 | 220V/50Hz/3 .5 kW | 220V/50Hz/3 .5 kW |
| 整机尺寸 | 1500mm*1700mm*2000mm | 1500mm*1700mm*2000mm | |
| 设备重量 | 1500 Kg | 1500 Kg | |
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